中国的光刻机发展到什么程度？
首先要告诉你的是：目前，中国最先进的光刻机仍然是90纳米步进扫描投影光刻机，至于工艺节点达到28纳米浸没式DUV光刻机部件仍在研发中，估计很快就能完成，因此国内光刻机的性能将进一步提高。
在国内半导体产业链中，光刻机是唯一的缺点。只要光刻机像蚀刻机、离子注入机、光刻胶等一样上升，就不是问题。因此，光刻机已成为制约我国半导体产业发展的唯一因素。只要解决了光刻机的制约，一切都很容易解决。
国内芯片的现状
目前，中国最先进的光刻机工艺节点是90纳米，不依赖国外技术。在国外技术的支持下，芯片的工艺工艺可以推广到7纳米，而不依赖极紫外线EUV光刻机。
然而，美国已经限制了中国12纳米以下芯片的生产。去美国化时，中国芯片的最高工艺是14纳米。
14纳米工艺芯片能够满足国内军工、工业、航空航天、航空和汽车的需求。毕竟，上述企业对芯片的可靠性、耐高低温性和耐辐射性有较高的要求，对工艺要求不高。手机和电脑使用的芯片对工艺要求较高，这是硬实力。
也就是说，即使美国限制了12纳米以下工艺的芯片生产，国内工业的发展也无能为力。
国内光刻机的现状
正如上面提到的，依靠中国独立的技术，只能生产90纳米光刻机的工艺节点，但这并不意味着光刻机只能生产90纳米芯片的工艺工艺，经过多次曝光等步骤后，芯片的工艺工艺将进一步改进。如果是这样，它就无法与极紫外线EUV光刻机相比。
与光刻机相关的三个部件是光源、透镜组和双工件平台。只要这三个部件得到解决，光刻机面临的问题就会得到解决。同时，这三个部件也是光刻机中最困难的部件。毕竟，它们与光学、超精度加工等有关。
中国光刻机的三个部件
第一：光源
目前，我国已生产出适用于步进投影式DUV光刻机的第三代光源，即波长248纳米、重复频率4000hz、功率40瓦的氟化氪激光器。由于波长仅为248纳米，因此自然不能用于极紫外线EUV光刻机。毕竟，极紫外线EUV光刻机使用的光源波长为13.5纳米。
二是透镜组
由于国内与光刻机相关的镜像或镜像的消息很少被披露，因此对国内镜像系统的相关进展知之甚少。由于成熟可用的步进式投影式DUV光刻机，镜像系统必须制造出来。然而，这只是一个镜头，而不是一个镜头，也不能用于极紫外线EUV光刻机。
三是双工件台
双工件台也有现成的，即自主研发的DWS系列。双工件台平均运动偏差为4.5纳米，标准运动偏差为7纳米，最大速度为1.1米/秒，最大加速度为2.4g。
DWSI系列也由磁悬浮平面电机驱动，但被平面光栅干扰位移测量技术所取代。
在上述技术的加成下，减少了运动偏差、加速度、运动速度等数据。DWSI双工件平台的平均运动偏差为2.5纳米，标准运动偏差为5纳米，最大速度为1.5米/秒，最大加速度为3.2g。
国际先进光刻机的现状
ASML是世界上最先进的光刻机制造商。当然，极紫外线EUV光刻机的部件相当精确，需要世界主要发达国家的支持。
第一:光源
ASML生产的极紫外线EUV光刻机采用激光等离子体光源，波长为13.5纳米，功率为250W。早期的Cymer也属于美国，但最终被ASML收购。
光源有两个主要特点：
第一，高达250瓦的功率
由于极紫外线EUV光刻机采用反射物镜系统，光源功率足够高。当紫外线光波被十多个反射器的反射吸收时，剩余功率可以满足光刻的要求。此外，光刻机光源功率越高，芯片刻录速度越快，效率自然就越高。
第二，13.5纳米的短极紫外波。
众所周知，光刻机所用光源的波长与最小工艺密切相关。由于芯片工艺与光刻机的曝光分辨率密切相关。
光刻机的曝光分辨率与光源的波长密切相关。当然，光源的波长越短，曝光分辨率越高，工艺越小，技术含量越高。光源波长越长，曝光分辨率越低，芯片工艺越大，技术含量越少。目前，手机、电脑等电子产品使用的芯片工艺已降至4纳米，但技术含金量相当高。
二是物镜组
极紫外线EUV光刻机使用后是反射器，当反射器表面不光滑时。进入镜子的光源将反射到各个方向，从而降低光源的聚合，降低光源的功率，可能不能满足刻录芯片的需要，为了使光源反射，但也具有较高的聚合和较大的功率，因此对反射器的表面粗糙度有严格的要求。
ASML的极紫外线EUV光刻机采用德国蔡司开发的反射镜。这些反射镜的表面涂有近100层钼和硅薄膜，薄膜的粗糙度控制在0.05纳米，比芯片的工艺流程小两个等级，制造难度相当大。
三是双工件台
双工件台的作用是承载晶圆，主要是将光刻前的准备工作与正在进行的光刻芯片分开。
也就是说，当一个工件台上的晶圆被曝光时，另一个工件台在曝光前测量晶圆。当第一个工件台的曝光完成后，两个工件台交换位置和功能。这样，光刻机的生产速度就可以提高。使用双工件台的光刻机，每小时可处理200个晶圆。与使用单工件台的光刻机相比，生产效率提高了3倍。
ASML开发的极紫外EUV光刻机采用自己开发的Twinscan系列双工件台，运动精度误差控制在1.8纳米。
综上所述，ASML生产的极紫外EUV光刻机三大核心部件的研发难度相当大。
就全球而言，只有一两家企业能拿出来。
除上述三个核心部件外，还有覆盖平台、覆盖板、光刻胶、操作系统等。可以看出，光刻机的研发和生产确实是一件相对困难的事情，基本上可以成为当今世界上最困难、最复杂的综合系统。
通过比较国内外光刻机的三个部件，我们可以看到，国内光源的波长和功率、反射镜和双工件平台的运行精度仍有很大差距。然而，ASML并不准备服从美国的命令，并希望向中国出口浸没式DUV光刻机。这里的意思很清楚。
当中国开发浸没式DUV光刻机时，ASML再次销售是没有用的。据估计，他们听到了中国浸没式DUV光刻机的声音，并希望在研发出现之前赚大钱。从那时起，中国的浸没式DUV光刻机离出生不远了。